檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "zirconia".ekeyword (精準) and year="100"
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本篇論文研究以Al作為上下電極,使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層,製備 電阻式記憶體元件,並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
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Abstract An uncommon phase transformation on 5 mol %YNbO4-modified Zirconia (3Y) in the isothermal…
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本研究以磁控濺鍍技術,製作出30-100nm的YSZ薄膜於矽基板、MgO、LaAlO3、LiNbO3和不鏽鋼上。薄膜的型態則以SEM、AFM觀察,結構為柱狀晶且其表面緻密且無孔洞,從XRD、Rama…